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振华科技(000733.SZ)：已成功研制部分氮化镓衬底的功率器件-GaN HEMT
作者：admin 日期：2024-04-10 16:42:46 浏览：24 分类：新闻
格隆汇4月10日丨振华科技(000733)(000733.SZ)在投资者互动平台表示，公司已成功研制部分氮化镓衬底的功率器件-GaN HEMT，分别为低压100V系列和高压650V系列，目前处于用户试用阶段。
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